金属 ・ 無機物

• イオンポリッシュ（IP）法による広域断面評価
• リチウムイオン二次電池材料の総合評価
• リチウムイオン二次電池電極材料の劣化評価
• 3次元TEM　(PV Expo2009より)
• 高純度Ar,N2雰囲気下での処理・測定により、高精度分析を実現
• 球面収差補正機能（Csコレクター）付きSTEMによる原子レベル分析
• TEMの連続傾斜像から3D構築
• 磁気ヘッドの組成像観察

半導体　Si系

• 断面イメージングSIMSによる不純物濃度と不均一性評価
• 電子線誘起電流（EBIC）法を用いた接合評価
• SEM装置で格子歪みを測定できます（EBSD）　(semicon2008より)
• SCM による拡散層の形状評価　(semicon2008より)
• 実デバイス内微細素子の SSRM 分析　(semicon2008より)
• H,C,N,O,Fなど軽元素を1ppm以下まで検出可能です（SIMS）　(semicon2008より)
• 最新型SIMSによる高感度分析（SIMS）　(semicon2008／FineTech2009より)
• 球面収差補正機能（Csコレクター）付きSTEMによる原子レベル分析
• 微小領域の歪解析(NBD解析)
• SSDP-SIMS 分析事例
• 極浅い不純物の評価〜ultra-Shallow〜
• 極浅い領域の不純物を測定する方法
• 高い精度で分析〜極浅不純物分布において

半導体　化合物系

• CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価　(FineTech2009より)
• 膜の組成不均一性と元素局在状態の可視化
• CIGS膜のp/n接合評価　(PV Expo2009より)
• CIGS膜の結晶粒評価　(PV Expo2009より)
• CIGS膜の不純物プロファイル評価　(PV Expo2009より)
• より高品質なTEM像の観察が可能です　(semicon2008より)
• 微細トランジスタの接合評価（電子線ホログラフィー）　(semicon2008より)
• 多元系金属微粒子の結晶構造観察（Csコレクタ付STEM）　(semicon2008／FineTech2009より)
• H,C,N,O,Fなど軽元素を1ppm以下まで検出可能です（SIMS）　(semicon2008より)
• 発光ダイオード不純物評価
• 次世代トランジスタ材料の不純物評価
• GaNの極性解析
• 化合物へテロ接合試料のFFTM解析

絶縁物 ・ 酸化物

• STEM-EELSトモグラフィー・〜Csコレクタ付きSTEMによるEELS元素マッピング像からの三次元再構築〜
• Low-k膜のドライエッチングダメージの評価　(FineTech2009より)
• SiON膜Nドーズ量の高精度分析
• 二酸化ケイ素（SiO2）の構造解析

有機物

• Cuフタロシアニンの分散状態評価
• 毛根の分析
• 風邪薬の分析　(ICSE JAPAN 2009より)
• ToF-SIMSの特徴・データ例　(ICSE JAPAN 2009より)
• 酸化劣化を防止した電極／有機層界面状態評価　(FineTech2009より)
• 有機EL膜密度と厚みが非破壊で計測できます　(FineTech2009より)
• 有機EL素子の評価　(FineTech2009より)
• 有機EL素子の劣化評価；拡散　(FineTech2009より)
• 有機積層膜の電位分布評価(電子線ホログラフィー)　(FineTech2009より)
• 有機EL表示パネルの総合評価　(FineTech2009より)
• 有機薄膜太陽電池の電極界面及び有機膜中の分散の評価 　(PV Expo2009より)
• 有機薄膜太陽電池の断面観察 　(PV Expo2009より)
• 低加速STEM像による観察　(semicon2008より)
• 高分子膜の深さ方向の評価（C60スパッタとToF-SIMS）　(PV Expo2009より)
• ラマン散乱を用いた樹脂の硬化度の測定
• 有機EL素子断面TEM観察
• 有機ELにおける層構造評価の新しい方法

電池（太陽電池 ・ 二次電池 ・ 燃料電池）

• リチウムイオン二次電池電極表面の劣化評価　（１）
• リチウムイオン二次電池電極表面の劣化評価　（２）
• リチウムイオン二次電池特性から分析まで
• リチウムイオン二次電池材料の評価-活物質評価
• リチウムイオン二次電池電極材料の劣化評価
• リチウムイオン二次電池正極の評価
• 断面イメージングSIMSによる不純物濃度と不均一性評価
• CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価　(FineTech2009より)
• 有機薄膜太陽電池の電極界面及び有機膜中の分散の評価 　(PV Expo2009より)
• 有機薄膜太陽電池の断面観察 　(PV Expo2009より)
• CIGS膜のp/n接合評価　(PV Expo2009より)
• CIGS膜の結晶粒評価　(PV Expo2009より)
• CIGS膜の不純物プロファイル評価　(PV Expo2009より)
• リチウムイオン二次電池材料の総合評価
• 3次元TEM　(PV Expo2009より)
• 高分子膜の深さ方向の評価（C60スパッタとToF-SIMS）　(PV Expo2009より)

有機EL ・ LED ・ FPD

• Cuフタロシアニンの分散状態評価
• 酸化劣化を防止した電極／有機層界面状態評価　(FineTech2009より)
• 有機EL膜密度と厚みが非破壊で計測できます　(FineTech2009より)
• 有機EL素子の評価　(FineTech2009より)
• 有機EL素子の劣化評価；拡散　(FineTech2009より)
• 有機積層膜の電位分布評価(電子線ホログラフィー)　(FineTech2009より)
• 有機EL表示パネルの総合評価　(FineTech2009より)
• 低加速STEM像による観察　(semicon2008より)
• 有機EL素子断面TEM観察
• 有機ELにおける層構造評価の新しい方法

不良 ・ 故障解析 ・ 不具合品評価

• イオンポリッシュ（IP）法による広域断面評価
• 信頼性試験・特性評価から解析・分析まで　(FineTech2009より)
• ベベル部の回り込みの評価（ToF-SIMS）(semicon2008より)
• 有機物汚染の評価
• Cu表面汚染の評価
• エッチング残渣の分析

バイオ ・ 医薬

• 毛根の分析
• 風邪薬の分析　(ICSE JAPAN 2009より)
• ToF-SIMSの特徴・データ例　(ICSE JAPAN 2009より)

パワーデバイス

• 電子線誘起電流（EBIC）法を用いた接合評価
• SCM による拡散層の形状評価　(semicon2008より)
• GaNの極性解析
• 化合物へテロ接合試料のFFTM解析

SIMS

• 断面イメージングSIMSによる不純物濃度と不均一性評価
• 有機EL素子の評価　(FineTech2009より)
• 膜の組成不均一性と元素局在状態の可視化
• CIGS膜の不純物プロファイル評価　(PV Expo2009より)
• H,C,N,O,Fなど軽元素を1ppm以下まで検出可能です（SIMS）　(semicon2008より)
• 最新型SIMSによる高感度分析（SIMS）　(semicon2008／FineTech2009より)
• 発光ダイオード不純物評価
• SiON膜Nドーズ量の高精度分析
• 次世代トランジスタ材料の不純物評価
• 有機ELにおける層構造評価の新しい方法
• SSDP-SIMS 分析事例
• 極浅い不純物の評価〜ultra-Shallow〜
• 極浅い領域の不純物を測定する方法
• 高い精度で分析〜極浅不純物分布において

XPS

• リチウムイオン二次電池電極表面の劣化評価　（１）
• リチウムイオン二次電池電極表面の劣化評価　（２）
• リチウムイオン二次電池特性から分析まで
• Low-k膜のドライエッチングダメージの評価　(FineTech2009より)
• 酸化劣化を防止した電極／有機層界面状態評価　(FineTech2009より)
• リチウムイオン二次電池電極材料の劣化評価
• リチウムイオン二次電池材料の総合評価
• 高純度Ar,N2雰囲気下での処理・測定により、高精度分析を実現
• 有機ELにおける層構造評価の新しい方法

AES

• リチウムイオン二次電池正極の評価

TEM

• リチウムイオン二次電池電極表面の劣化評価　（２）
• リチウムイオン二次電池特性から分析まで
• STEM-EELSトモグラフィー・〜Csコレクタ付きSTEMによるEELS元素マッピング像からの三次元再構築〜
• 有機積層膜の電位分布評価(電子線ホログラフィー)　(FineTech2009より)
• 有機EL表示パネルの総合評価　(FineTech2009より)
• より高品質なTEM像の観察が可能です　(semicon2008より)
• 微細トランジスタの接合評価（電子線ホログラフィー）　(semicon2008より)
• 3次元TEM　(PV Expo2009より)
• 多元系金属微粒子の結晶構造観察（Csコレクタ付STEM）　(semicon2008／FineTech2009より)
• 球面収差補正機能（Csコレクター）付きSTEMによる原子レベル分析
• TEMの連続傾斜像から3D構築
• 有機EL素子断面TEM観察
• 有機ELにおける層構造評価の新しい方法
• 微小領域の歪解析(NBD解析)
• GaNの極性解析
• 化合物へテロ接合試料のFFTM解析
• 磁気ヘッドの組成像観察

SEM

• リチウムイオン二次電池電極表面の劣化評価　（１）
• リチウムイオン二次電池材料の評価-活物質評価
• CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価　(FineTech2009より)
• イオンポリッシュ（IP）法による広域断面評価
• 電子線誘起電流（EBIC）法を用いた接合評価
• 有機薄膜太陽電池の断面観察 　(PV Expo2009より)
• CIGS膜のp/n接合評価　(PV Expo2009より)
• CIGS膜の結晶粒評価　(PV Expo2009より)
• SEM装置で格子歪みを測定できます（EBSD）　(semicon2008より)
• 低加速STEM像による観察　(semicon2008より)

ToF-SIMS

• Cuフタロシアニンの分散状態評価
• 毛根の分析
• 風邪薬の分析　(ICSE JAPAN 2009より)
• ToF-SIMSの特徴・データ例　(ICSE JAPAN 2009より)
• 有機EL素子の劣化評価；拡散　(FineTech2009より)
• 有機EL表示パネルの総合評価　(FineTech2009より)
• 有機薄膜太陽電池の電極界面及び有機膜中の分散の評価 　(PV Expo2009より)
• 高分子膜の深さ方向の評価（C60スパッタとToF-SIMS）　(PV Expo2009より)
• ベベル部の回り込みの評価（ToF-SIMS）(semicon2008より)
• 有機ELにおける層構造評価の新しい方法
• Cu表面汚染の評価
• エッチング残渣の分析
• 有機物汚染の評価

RAMAN

• 二酸化ケイ素（SiO2）の構造解析
• ラマン散乱を用いた樹脂の硬化度の測定

XRD

• リチウムイオン二次電池電極材料の劣化評価

XRR

• 有機EL膜密度と厚みが非破壊で計測できます　(FineTech2009より)

SCM

• SCM による拡散層の形状評価　(semicon2008より)

SSRM

• 実デバイス内微細素子の SSRM 分析　(semicon2008より)

FT-IR

• 有機EL表示パネルの総合評価　(FineTech2009より)

LC-MS

• 有機EL表示パネルの総合評価　(FineTech2009より)

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