SIMSによる酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価(C0191)

酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

概要

酸化物ReRAMでは、電場印加に伴う酸素拡散がメモリ動作（抵抗変化）と関連しているとされていました。
SIMS分析では同位体を測定可能であるため、同位体¹⁸Oイオン注入技術を利用すれば、酸素拡散の追跡が可能となります。¹⁸Oを局所的に注入した素子に対し、電場印加により動作領域となるブリッジ構造を形成し、元素マッピングを行った結果、ブリッジ部では¹⁸Oの強度が弱く、局所的に還元されていることが分かりました。

データ

[引用] T. Yajima et al., Jpn. J. Appl. Phys. 49, 060215 (2010).
サンプルご提供：東京大学　高木研究室　矢島　健様

この分析事例のPDFファイルを開く SIMSによる酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

MST技術資料No.	C0191
掲載日	2010/11/04
測定法・加工法	［SIMS］二次イオン質量分析法
製品分野	LSI・メモリ酸化物半導体
分析目的	微量濃度評価組成分布評価

関連する分析事例

掲載日	タイトル	測定法・加工法	製品分野	分析目的
2024/04/18	SIMS分析データの再現性(B0301)	［SIMS］二次イオン質量分析法	LSI・メモリ	微量濃度評価
2023/11/30	ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702)	［SIMS］二次イオン質量分析法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法	パワーデバイス	微量濃度評価形状評価構造評価製品調査
2023/03/23	深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析(C0692)	［SIMS］二次イオン質量分析法	パワーデバイス光デバイス照明ディスプレイ	微量濃度評価製品調査不純物評価・分布評価
2020/05/06	低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481)	［SIMS］二次イオン質量分析法［PL］フォトルミネッセンス法	LSI・メモリパワーデバイス電子部品太陽電池	微量濃度評価構造評価故障解析・不良解析
2020/05/06	SSDP-SIMSによるゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価(C0028)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	LSI・メモリ	組成評価・同定微量濃度評価組成分布評価
2020/05/06	半導体基板中軽元素の高感度分析(C0117)	［SIMS］二次イオン質量分析法	LSI・メモリ	微量濃度評価組成分布評価
2020/05/06	SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291)	［SIMS］二次イオン質量分析法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	パワーデバイス	微量濃度評価形状評価製品調査
2020/04/30	SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法	パワーデバイス	形状評価構造評価劣化調査・信頼性評価製品調査
2020/04/30	SRAによるIGBTチップのキャリア濃度分布評価(C0443)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SRA］広がり抵抗測定法	パワーデバイス電子部品	微量濃度評価製品調査
2018/07/05	界面および深さ方向分解能について(B0243)	［SIMS］二次イオン質量分析法	LSI・メモリパワーデバイス太陽電池ディスプレイ酸化物半導体	微量濃度評価