ウエットエッチングによる有機付着物除去(C0383)

低ダメージで表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

概要

XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。
通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメージにより膜本来の組成,結合状態が評価できない場合があります。Arイオンスパッタを使用せず、表面酸化層をウェットエッチングを用いて除去することで、有機付着物由来のCの影響を低減させた例をご紹介します。

データ

SiC膜について、ウェットエッチング処理前後に評価を行いました。
エッチング処理後において有機付着物、表面酸化層が減少し、膜成分が増加する傾向が確認されました。

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MST技術資料No.	C0383
掲載日	2015/05/28
測定法・加工法	［XPS］X線光電子分光法
製品分野	LSI・メモリパワーデバイス光デバイス製造装置・部品酸化物半導体
分析目的	組成評価・同定化学結合状態評価

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