代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232)
TDS:昇温脱離ガス分析法
概要
TDSは高真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温させ、脱離したガスを検出する手法です。高真空中で試料を等速昇温するため微量な脱ガス(単原子層レベル)についても温度依存性を確認することができます。また一部の成分については脱離したガスの分子数も算出可能です。
以下に、代表的な材料別にTDSを適用した例をご紹介します。
解析例
MST技術資料No. | B0232 |
掲載日 | 2017/03/30 |
測定法・加工法 | [TDS]昇温脱離ガス分析法
|
製品分野 | LSI・メモリ パワーデバイス 電子部品 ディスプレイ 製造装置・部品 酸化物半導体
|
分析目的 | 微量濃度評価 その他
|