HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出(C0447)

XRD・XAFSによる複合解析で、より詳細な評価が可能

概要

high-k材料や強誘電体として注目されているHfZrOx膜は、結晶構造によって誘電率等の物理的性質が大きく変化することから、結晶構造の同定・各結晶構造の含有割合の算出が重要な評価項目です。
通常XRDやXAFSによって評価可能ですが、一方の手法だけでは詳細な解析が困難な場合でも、これら2つの手法を組み合わせることでより詳細な情報が得られます。今回、XRDとXAFSの複合解析によって、HfZrOx膜の結晶構造の同定および、各結晶構造の含有割合の算出を行った事例を紹介します。

データ

MST技術資料No.C0447
掲載日2016/11/10
測定法・加工法[XAFS]X線吸収微細構造
[XRD]X線回折法
製品分野LSI・メモリ
分析目的構造評価

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