分析のお問い合わせ・お申込み
相談員が伺います。

03-3749-2525

tel:03-3749-2525

水素終端ウエハの脱ガス分析(C0483)

最表面、単原子層の水素をTDSで評価可能です

MST技術資料No.C0483
掲載日2017/08/31
測定法・加工法[TDS]昇温脱離ガス分析法
製品分野LSI・メモリ
分析目的微量濃度評価
その他

概要

TDSは試料を昇温し、脱離したガスをイオン化して質量分析を行う手法です。高真空中(1E-7 Pa)で、質量電荷比(m/z) 2~199について分析可能です。
今回は水素終端処理を施したSiチップについて、TDS分析を実施した例をご紹介します。TDSにて、水素終端の水素の脱離を捉えることができました。

データ

サンプル

SiチップにHF処理を施し、Siの最表面を水素終端させた試料をTDSにて分析しました。

結果

Siチップの最表面から、反応が異なる2つの水素の脱離ピークを捉えることができました。

図1 水素終端させたSiチップからの水素の脱離

ポイント

高真空中でm/z 2から検出できるTDSでは、水素終端部の水素も感度良く検出することが可能です。

関連する分析事例

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
めっき試料の脱ガス評価 2017/03/30 めっき試料の脱ガス評価(C0464) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価
代表的な材料・目的別のTDS解析例 2017/03/30 代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
微量濃度評価
その他
金属(Sn)の昇温脱離ガス分析 2017/02/02 金属(Sn)の昇温脱離ガス分析(C0458) [TDS]昇温脱離ガス分析法
製造装置・部品
組成評価・同定
その他
有機フィルムの昇温脱離ガス分析(TDS) 2016/12/08 有機フィルムの昇温脱離ガス分析(TDS)(C0452) [TDS]昇温脱離ガス分析法
ディスプレイ
日用品
組成評価・同定
微量濃度評価
TDSによる脱離成分の推定 2016/12/08 TDSによる脱離成分の推定(C0453) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
ガラス試料のTDS分析 2016/12/01 ガラス試料のTDS分析(C0378) [TDS]昇温脱離ガス分析法
ディスプレイ
微量濃度評価
その他
TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析 2016/01/14 TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析(C0403) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ

てむぞう&ますみん

てむぞう&ますみん