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Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析(C0485)

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

MST技術資料No.C0485
掲載日2017/09/14
測定法・加工法[PL]フォトルミネッセンス法
製品分野LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
分析目的構造評価
故障解析・不良解析
製品調査

概要

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。
IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥(ライフタイムキラー)を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。

データ

サンプル

任意の箇所で断面を作成したIGBTチップ。断面の中央付近を測定しました。

図1 IGBTチップ断面構造図と測定箇所

分析結果

図2 PLスペクトル
  • 断面中央付近では照射欠陥等に起因するピーク(I3-line,W-line等) が観測されました。
    中央付近はライフタイムキラーの影響を受けていると考えられます。
  • 本試料は格子間炭素が関与するピーク(G-line, C-line)は確認されませんでした。
    熱処理等により格子間炭素が消失している可能性が示唆されます。
  • トレンチ近傍等ご指定位置での測定も対応可能です。お気軽にご相談ください。

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