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TDSによる有機膜の熱処理温度依存性評価(C0499)

試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます

MST技術資料No.C0499
掲載日2017/12/21
測定法・加工法[TDS]昇温脱離ガス分析法
製品分野電子部品
照明
ディスプレイ
分析目的組成評価・同定
微量濃度評価
その他

概要

TDSは昇温と共に脱離する無機ガス・有機ガスについて、脱離の温度依存性も評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。
レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出された200℃までの脱ガスピークが、「200℃ベーク後」では検出されていないことが確認できました。

データ

50℃ベーク後

200℃までに脱ガスあり

  • 有機物
  • フッ素
  • アンモニア
  • SO2

200℃ベーク後

200℃まではほぼ脱ガス無し

ポイント

試料のベーク温度による脱ガスの変化を捉えることができます

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