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TDSによる腐食性ガス分析(C0500)

製品に悪影響を及ぼすガスを確認できます

MST技術資料No.C0500
掲載日2017/12/28
測定法・加工法[TDS]昇温脱離ガス分析法
製品分野LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
分析目的微量濃度評価
故障解析・不良解析
その他

概要

エッチングガス等の腐食性ガスは、半導体や電子部品、装置等の劣化に大きな影響を与えます。
以下に、TDS(昇温脱離ガス分析法)を用いて腐食性ガスを捉えた事例を示します。腐食性ガスであるHClが、試料の昇温に伴って脱離することが確認されました。
TDSは昇温しながらm/z 2~199の脱ガスを捉えられることから、腐食性ガスの種類や量、脱離の温度依存性を調査するのに有効です。

データ

図1 絶縁膜からのHClの脱ガス

ポイント

腐食性ガスの種類および脱離の温度依存性が調査可能!

表1 絶縁膜からのHClの脱ガス量

ポイント

腐食性ガスの「脱ガス量の調査」や「脱ガス量の試料間比較」が可能!
*分子数に換算可能な成分についてはお問合せください。

このような調査に最適です

  • エッチングガスの残留成分調査
  • 金属や半導体部品中の腐食性ガス調査

検出可能な腐食性ガスの例

NH3, HF, H2S, SO2, HCl, Cl2, NO, … 等
その他のガス種につきましてもお気軽にお問合せください。

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