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分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
AESによるボンディング界面の元素分析 2017/09/14 AESによるボンディング界面の元素分析(C0486) [AES]オージェ電子分光法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
故障解析・不良解析
Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析 2017/09/14 Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
水素終端ウエハの脱ガス分析 2017/08/31 水素終端ウエハの脱ガス分析(C0483) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
微量濃度評価
その他
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2017/08/31 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析 2017/08/10 酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析(C0478) [XAFS]X線吸収微細構造
LSI・メモリ
製造装置・部品
化学結合状態評価
構造評価
めっき試料の脱ガス評価 2017/03/30 めっき試料の脱ガス評価(C0464) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価
代表的な材料・目的別のTDS解析例 2017/03/30 代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
微量濃度評価
その他
ウエハケース内ウエハの有機汚染評価 2017/03/16 ウエハケース内ウエハの有機汚染評価(C0461) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
TOF-SIMSによる微小ビアのイメージ分析 2017/01/12 TOF-SIMSによる微小ビアのイメージ分析(C0454) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成分布評価
故障解析・不良解析
TDSによる脱離成分の推定 2016/12/08 TDSによる脱離成分の推定(C0453) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
AESによるCu表面変色部の評価 2016/12/01 AESによるCu表面変色部の評価(C0451) [AES]オージェ電子分光法
[SEM]走査電子顕微鏡法
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
TOF-SIMSによる微小領域の定性・イメージ分析 2016/11/24 TOF-SIMSによる微小領域の定性・イメージ分析(C0449) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
組成分布評価
はんだ剥離部断面のTOF-SIMS分析 2016/11/17 はんだ剥離部断面のTOF-SIMS分析(C0450) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
故障解析・不良解析
HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出 2016/11/10 HfZrOx膜の結晶構造同定・含有割合の算出(C0447) [XAFS]X線吸収微細構造
[XRD]X線回折法
LSI・メモリ
構造評価
室内雰囲気中の腐食成分分析 2016/08/18 室内雰囲気中の腐食成分分析(C0436) [IC]イオンクロマトグラフ法
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
環境
微量濃度評価
その他
イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル 2016/07/28 イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル(C0434) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
構造評価
故障解析・不良解析
表面酸化膜のある異物の状態評価 2016/04/14 表面酸化膜のある異物の状態評価(C0420) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
SiGe中不純物の高精度定量評価 2016/04/07 SiGe中不純物の高精度定量評価(B0226) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価
ニッケルめっき剥離面の評価 2016/01/21 ニッケルめっき剥離面の評価(C0404) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
その他
LSI・メモリ
化学結合状態評価
組成分布評価
故障解析・不良解析
TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析 2016/01/14 TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析(C0403) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
Siウエハの保管状態による表面汚染評価 2015/11/26 Siウエハの保管状態による表面汚染評価(C0120) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
エタノールをつけた綿棒の残渣分析 2015/11/26 エタノールをつけた綿棒の残渣分析(C0201) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
組成分布評価
故障解析・不良解析
溶液中の窒素成分の評価 2015/10/08 溶液中の窒素成分の評価(C0396) [IC]イオンクロマトグラフ法
[HPLC]高速液体クロマトグラフ法
[LC/MS]液体クロマトグラフィー質量分析法
[UV-Vis]紫外可視分光法
LSI・メモリ
医薬品
日用品
環境
微量濃度評価
劣化調査・信頼性評価
揮発性有機化合物(VOC)P&Tによる微量成分の検出 2015/10/01 揮発性有機化合物(VOC)P&Tによる微量成分の検出(B0217) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
化粧品
日用品
食品
環境
微量濃度評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
安全性試験
揮発性有機化合物(VOC)前処理方法の選択 2015/10/01 揮発性有機化合物(VOC)前処理方法の選択(B0216) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
化粧品
日用品
食品
環境
微量濃度評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
安全性試験
2次元検出器を用いたX線回折測定 2015/08/13 2次元検出器を用いたX線回折測定(B0212) [XRD]X線回折法
LSI・メモリ
酸化物半導体
構造評価
極点測定 2015/08/13 極点測定(B0213) [XRD]X線回折法
LSI・メモリ
構造評価
チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察 2015/07/30 チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察(C0390) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
LSI・メモリ
形状評価
構造評価
XPS・AESによる深さ方向分析の比較 2015/07/02 XPS・AESによる深さ方向分析の比較(B0211) [XPS]X線光電子分光法
[AES]オージェ電子分光法
LSI・メモリ
電子部品
組成評価・同定
エッチングによる有機付着物除去 2015/05/28 エッチングによる有機付着物除去(C0383) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
製造装置・部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価

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