分析のお問い合わせ・お申込み
相談員が伺います。

03-3749-2525

tel:03-3749-2525

分析事例

フリーワード

分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価 2017/11/15 PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価(C0494) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
[FIB]集束イオンビーム加工
その他
パワーデバイス
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析 2017/09/14 Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2017/08/31 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
XRFによるウエハ上Au薄膜の面内膜厚評価 2017/08/24 XRFによるウエハ上Au薄膜の面内膜厚評価(C0480) [XRF]蛍光X線分析法
パワーデバイス
照明
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価 2017/08/24 XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価(C0479) [XRF]蛍光X線分析法
パワーデバイス
照明
製造装置・部品
組成評価・同定
組成分布評価
XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価 2017/06/29 XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価(C0472) [XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
照明
化学結合状態評価
構造評価
代表的な材料・目的別のTDS解析例 2017/03/30 代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232) [TDS]昇温脱離ガス分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
微量濃度評価
その他
酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価 2017/03/16 酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価(C0462) [XPS]X線光電子分光法
[XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
太陽電池
照明
酸化物半導体
その他
ウエハケース内ウエハの有機汚染評価 2017/03/16 ウエハケース内ウエハの有機汚染評価(C0461) [GC/MS]ガスクロマトグラフィー質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
組成評価・同定
微量濃度評価
Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価 2016/12/01 Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価(C0443) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SRA]広がり抵抗測定法
パワーデバイス
電子部品
微量濃度評価
製品調査
XAFSによるシリコン酸化膜評価 2016/10/06 XAFSによるシリコン酸化膜評価(C0439) [XAFS]X線吸収微細構造
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
二次電池
ディスプレイ
酸化物半導体
化学結合状態評価
構造評価
酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価 2016/09/29 酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価(C0440) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
パワーデバイス
酸化物半導体
微量濃度評価
イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル 2016/07/28 イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル(C0434) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
構造評価
故障解析・不良解析
SiC中不純物の超高感度測定 2016/04/14 SiC中不純物の超高感度測定(C0421) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
パワーデバイス
微量濃度評価
酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価 2016/04/07 酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価(C0416) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
微量濃度評価
高電子移動度トランジスタの評価 2016/02/25 高電子移動度トランジスタの評価(C0410) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
パワーデバイス
膜厚評価
構造評価
ABF-STEM観察によるGaNの極性評価 2016/02/18 ABF-STEM観察によるGaNの極性評価(C0409) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
パワーデバイス
光デバイス
形状評価
膜厚評価
構造評価
SiC Planer Power MOSFETのSCMおよびSMMによる拡散層評価 2015/12/17 SiC Planer Power MOSFETのSCMおよびSMMによる拡散層評価(C0401) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
その他
パワーデバイス
組成分布評価
形状評価
XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価 2015/08/27 XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価(C0394) [XPS]X線光電子分光法
パワーデバイス
組成評価・同定
化学結合状態評価
膜厚評価
XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価 2015/06/25 XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価(C0384) [SEM]走査電子顕微鏡法
[EBSD]電子後方散乱回折法
[XRD]X線回折法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
エッチングによる有機付着物除去 2015/05/28 エッチングによる有機付着物除去(C0383) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
製造装置・部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価 2015/05/21 XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価(C0381) [XPS]X線光電子分光法
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
低温フォトルミネッセンス測定の注意事項 2015/05/14 低温フォトルミネッセンス測定の注意事項(B0208) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
照明
ディスプレイ
構造評価
Si中不純物の超高感度測定 2015/03/19 Si中不純物の超高感度測定(C0354) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
微量濃度評価
RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS 2014/08/07 RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS(B0194) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
微量濃度評価
SRAの濃度換算について 2014/07/17 SRAの濃度換算について(B0196) [SRA]広がり抵抗測定法
LSI・メモリ
パワーデバイス
微量濃度評価
SRAの深さ換算について 2014/07/03 SRAの深さ換算について(B0197) [SRA]広がり抵抗測定法
LSI・メモリ
パワーデバイス
微量濃度評価
水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例 2014/03/27 水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例(C0322) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SRA]広がり抵抗測定法
パワーデバイス
微量濃度評価
定量計算における妨害ピーク除去処理 2014/02/20 定量計算における妨害ピーク除去処理(B0189) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
照明
製造装置・部品
バイオテクノロジ
組成評価・同定
組成分布評価
パッケージ品のロックイン発熱解析 2013/10/10 パッケージ品のロックイン発熱解析(C0310) ロックイン発熱解析法
パワーデバイス
故障解析・不良解析

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ

てむぞう&ますみん

てむぞう&ますみん