SRA：Spreading Resistance Analysis
［SRA］広がり抵抗測定法の
分析事例はこちらからご覧ください。
特徴
SRAは測定試料を斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。SRP（Spreading Resistance Profiling）とも呼ばれます。
- 導電型(p型/n型)の判定が可能
- 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能
- 濃度約1E12～2E20/cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能
- 約20μｍ×100μｍ以上の大きさのパターン試料の測定が可能
- SRAとSIMSを組み合わせて評価を行う事で活性化率の評価が可能
適用例
- イオン注入サンプルの熱処理後の活性化率の評価
- MOSデバイスの拡散層、エピタキシャル層の評価
- エピタキシャル層のオートドープの評価
- IGBT,FWDのキャリア濃度分布の評価
原理
斜め研磨した試料面に2探針を接触させ、直下の電気抵抗を測定します。
校正用標準試料の測定値と比較する事で、測定した拡がり抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算します。
さらに、比抵抗とキャリア濃度の関係を示すThurberの曲線を用いてキャリア濃度（/cm3）を算出します。なお、キャリア濃度と比抵抗には以下の関係があります。
データ例
データ形式
- PDFファイル, Profile Viewer(.PRW)※形式：プロファイル
- Excelファイル：数値データ
※Profile ViewerファイルはMSTにて配布しております「Profile Viewerソフト」にて閲覧・加工が可能となります。
仕様
| 測定範囲 |
導電型(p型/n型)の判定を含む深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 |
| 定量可能キャリア濃度 |
約1E12～2E20/cm3 |
| 評価深さ |
100nm～1mm未満 |
| 測定可能な最小領域の大きさ |
約20×100μm |
| 定量可能な材料 |
SiおよびGe |
| 定量可能な面方位 |
＜100＞,＜111＞ |
必要情報
- 目的/測定内容
- 試料情報
(1)数量、予備試料の有無など
(2)分析深さ、導電型、形状、層構造、各層の膜厚、面方位、パターンおよび積層膜の有無など
(3)分析領域の大きさ
(4)注意事項
(5)試料到着予定日
- 納期
(1)希望速報納期、希望納品日
(2)注意事項
- その他の留意点
注意点
- 試料表面の凹凸による深さ方向分解能の低下の可能性があります。
- チップ状試料およびパターンを形成している試料の場合ご相談ください。
- 破壊分析となります。
- 定量可能な材料は、SiおよびGeです。
［SRA］広がり抵抗測定法の分析事例はこちらからご覧ください。