SIMSによるZnO膜の組成・不純物の分布評価(C0045)
イメージングSIMS分析により面内分布を可視化
概要
デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。
測定後のデータ処理により、平面イメージ（図1）・断面イメージ（図2）・任意箇所の深さ方向分布プロファイル（図3, 4）・ラインプロファイルを得ることができます。構成材料・不純物の分布から、プロセス・膜質改善に繋がる情報を得ることができます。
データ
サンプルご提供：信州大学 工学部 電気電子工学科 橋本佳男教授
| MST技術資料No. | C0045 |
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| 掲載日 | 2010/01/01 |
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| 測定法・加工法 | ［SIMS］二次イオン質量分析法
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| 製品分野 | 光デバイス
太陽電池
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| 分析目的 | 微量濃度評価
組成分布評価
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