SIMSによるSiCパワーMOSFET中ドーパント評価

パッケージ開封後のチップ（図1）中の20μm 角の領域でイメージングSIMS測定を行い、イオンイメージとしてXY平面上でのAl,N,Pの分布を可視化しました（図 2 ）。

さらにデータ処理によりXZ 断面（図 3 ）、YZ断面（図 4 ）の領域についてそれぞれイオンイメージを構成しました。
通常の深さ方向分析では検出領域全体の各元素の平均濃度を算出しますが、イメージングSIMS 測定においては、部分的にデプスプロファイルを抽出することができるため、面内に局在するドーパントの濃度分布を評価することができます（図 5 ）。

結果、Alが存在するP領域内で部分的にN+領域が存在すること、そのN+領域において、Pは表面側、Nは基板側に存在することが確認できました。