SiC表面の結合状態・膜厚評価(C0394)
XPSによる詳細な結合状態評価と膜厚計算
概要
XPSでは試料表面の化学結合状態を評価することができ、波形解析により更に詳細な評価をすることが可能です。加えて、波形解析結果に仮定パラメータを用いることで、表面酸化膜等の膜厚を算出することも可能です。
本資料では、SiC表面の組成・状態評価を行うとともに、取得したピーク強度から酸化膜厚を算出した事例をご紹介します。
データ
SiC表面測定 検出深さ4~5nm / 上段:Si2p,C1sスペクトル、下段:各スペクトルの波形解析
※仮定したパラメーターを用いるため、酸化膜厚は参考値としてのお取扱いをお勧めしています。
MST技術資料No. | C0394 |
掲載日 | 2015/08/27 |
測定法・加工法 | [XPS]X線光電子分光法
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製品分野 | パワーデバイス
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分析目的 | 組成評価・同定 化学結合状態評価 膜厚評価
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