Si自然酸化膜の膜厚評価(C0279)

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

MST技術資料No.C0279
掲載日2012/11/22
測定法・加工法[XPS]X線光電子分光法
製品分野LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
製造装置・部品
酸化物半導体
分析目的組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
膜厚評価

概要

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です(式1)。
XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出することが可能です。

データ

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