電気特性異常箇所を特定したい

トランジスタの異常箇所を特定します。

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  ロックイン発熱解析法

  電流経路中の僅かな温度上昇を検出します。
  赤外線を検出するため、非破壊で評価可能です。

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  ［OBIRCH］光ビーム加熱抵抗変動法

  光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。
  

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  ［EMS］エミッション顕微鏡法

  半導体素子の酸化膜リーク箇所・ホットキャリア発生箇所を特定します。
  

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  ［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法

  導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手法です。

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