角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜の組成分布評価(C0550)

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

MST技術資料No.C0550
掲載日2019/02/07
測定法・加工法[XPS]X線光電子分光法
製品分野LSI・メモリ
分析目的構造評価

概要

角度分解XPS(ARXPS)はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価に有効です。
本資料ではSi基板上のSiN膜について、膜中の組成分布評価を行った事例をご紹介します。

データ

ARXPSによるデプスプロファイル算出の模式図

※ARXPS : Angle Resolved XPS

測定例:Si基板上SiN膜のデプスプロファイル

ポイント

  • ARXPSによって基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価が可能です

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