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膜・電極が剥離している原因を調べたい

剥離した表面を測定することで、剥離の原因を調査します。
また、正常箇所と剥離箇所の断面を観察することで、剥離している層を特定することができます。

	［XPS］X線光電子分光法測定プローブ：X線測定プローブ径：9umφ～表面から数nmの深さを検出し、組成を調べます。絶縁物でも測定可能です。 XPSの分析事例はこちら
	［AES］オージェ電子分光法測定プローブ：電子線測定プローブ径：数nm～表面からの数nmの深さを検出し、組成を調べます。絶縁物はチャージアップするため苦手です。 AESの分析事例はこちら
	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法測定プローブ：イオンビーム測定プローブ径：250nmφ 試料最表面に付着した成分を分子イオン化し、質量分析を行うことで結合状態を調べます。 TOF-SIMSの分析事例はこちら
	［SEM］走査電子顕微鏡法測定プローブ:電子線空間分解能：0.5nm～倍率：×30～×300,000 SEMの分析事例はこちら
	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法測定プローブ：電子線空間分解能：0.1nm～倍率：×20,000～×5,000,000 極薄膜（～1nm）の評価まで可能です。 (S)TEMの分析事例はこちら
	［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）測定プローブ：電子線測定プローブ径：数nmφ～金属元素の検出感度が高い特徴があります。 SEM-EDXの分析事例はこちら TEM-EDXの分析事例はこちら

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