膜・電極が剥離している原因を調べたい

剥離した表面を測定することで、剥離の原因を調査します。
また、正常箇所と剥離箇所の断面を観察することで、剥離している層を特定することができます。

[XPS]X線光電子分光法
  • 測定プローブ:X線
  • 測定プローブ径:9umφ~
  • 表面から数nmの深さを検出し、組成を調べます。
    絶縁物でも測定可能です。
[AES]オージェ電子分光法
  • 測定プローブ:電子線
  • 測定プローブ径:数nm~
  • 表面からの数nmの深さを検出し、組成を調べます。
    絶縁物はチャージアップするため苦手です。
[TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
  • 測定プローブ:イオンビーム
  • 測定プローブ径:250nmφ
  • 試料最表面に付着した成分を分子イオン化し、質量分析を行うことで結合状態を調べます。
[SEM]走査電子顕微鏡法
  • 測定プローブ:電子線
  • 空間分解能:0.5nm~
  • 倍率:×30~×300,000
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
  • 測定プローブ:電子線
  • 空間分解能:0.1nm~
  • 倍率:×20,000~×5,000,000
  • 極薄膜(~1nm)の評価まで可能です。
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
[TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)
  • 測定プローブ:電子線
  • 測定プローブ径:数nmφ~
  • 金属元素の検出感度が高い特徴があります。

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