目的に応じた分析条件で測定します
概要
SIMSでは複数元素を同時に測定することが可能ですが、着目元素を絞ることで高感度測定やバックグラウンドレベル（BGL）を下げた測定が可能です。分析目的に合わせて、適切な測定条件を検討します。
市販品SiCパワーMOSFETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析条件で評価した事例を紹介します。
データ
市販品SiCパワーMOSFETについて、下記の3条件のSIMS分析を行った結果を図に示します。
(a) N,Al,P同時取得
(b) Nの感度を重視
(c) Alの感度を重視
図 SIMS分析で得られたデプスプロファイル
| 分析条件 | ||
| Cs/- HMR | Cs/- HMR | O2/+ HMR |
| 特徴 | ||
| N,Al,Pの分布を同時に取得することで、素子全体のドーパント元素の分布を把握することが可能です。 | 測定元素をNに限定すること で高感度に検出可能です。 (a)よりも低濃度のS/Nが改善されます。 | 測定元素をAlに限定することで高感度に検出可能です。 (a)より感度は劣りますがPを同時に取得可能です。 |
※HMR：High Mass Resolution (高質量分解能法)：質量分解能を高めることで妨害イオンによる質量干渉を除去する方法
