パワーデバイス

電力を制御して低消費電力を実現するため、従来のSi半導体に加えて、SiC・GaN・ダイヤモンド・Ga2O3などの研究開発が進んでいます。
パワーデバイス(パワー半導体・パワー素子)の部材評価の分析例を以下に示します。

パワーデバイス
評価対象 評価項目 部位 分析手法
表面保護膜 膜厚・形状 実製品 SEMTEM
膜質(水素濃度・組成) 実製品 SIMS
バルク・薄膜 SIMSFT‐IR
配線・層間絶縁膜 配線・層間絶縁膜の組成 実製品 AESTEM‐EDXEELS
バルク・薄膜 XPSRBS
配線・層間絶縁膜の寸法 実製品 SEMTEM
配線内の結晶粒 実製品 EBSDTEMED
異物 実製品 AESTEM‐EDXSlice&View
配線金属成分の拡散 バルク・薄膜 SIMS
配線金属成分の拡散 実製品 EMSOBIRCHロックイン発熱
配線金属の化学結合状態評価 バルク・薄膜 XPS
ゲート電極 ゲート電極の寸法 実製品 TEM
ゲート電極の組成 実製品 TEM‐EDXEELS
ゲート電極成分の拡散 バルク・薄膜 SIMS
ゲート絶縁膜 絶縁膜の寸法 実製品 TEM
絶縁膜の組成 実製品 TEM‐EDXEELS
絶縁膜の不純物濃度分布 バルク・薄膜 SIMS
絶縁膜の化学結合状態評価 バルク・薄膜 XPS
絶縁膜の密度評価 バルク・薄膜 XRR
拡散層 ドーパント分布評価 バルク・薄膜 SIMS
キャリア分布評価 バルク・薄膜 SRA
拡散層形状評価 実製品 SCMSMMSSRMSEM
結晶欠陥評価 実製品 TEM
基板 ウエハ表面汚染評価 バルク・薄膜 XPSTOF‐SIMSICP‐MS
結晶性評価 バルク・薄膜 XRD
結晶欠陥評価 バルク・薄膜 PLTEM
応力評価 バルク・薄膜 RamanXRD
実製品 TEMED
不純物分布評価 バルク・薄膜 SIMS

パワーデバイスの分析事例はこちらからご覧ください。

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