パワーデバイス

電力を制御して低消費電力を実現するため、従来のSi半導体に加えて、SiC・GaN・ダイヤモンド・Ga2O3などの研究開発が進んでいます。
パワーデバイス（パワー半導体・パワー素子）の部材評価の分析例を以下に示します。

評価対象	評価項目	部位	分析手法
表面保護膜	膜厚・形状	実製品	SEM・TEM
	膜質（水素濃度・組成）	実製品	SIMS
	膜質（水素濃度・組成）	バルク・薄膜	SIMS・FT‐IR
配線・層間絶縁膜	配線・層間絶縁膜の組成	実製品	AES・TEM‐EDX・EELS
	配線・層間絶縁膜の組成	バルク・薄膜	XPS・RBS
	配線・層間絶縁膜の寸法	実製品	SEM・TEM
	配線内の結晶粒	実製品	EBSD・TEM・ED
	異物	実製品	AES・TEM‐EDX・Slice&View
	配線金属成分の拡散	バルク・薄膜	SIMS
	配線金属成分の拡散	実製品	EMS・OBIRCH・ロックイン発熱
	配線金属の化学結合状態評価	バルク・薄膜	XPS
ゲート電極	ゲート電極の寸法	実製品	TEM
	ゲート電極の組成	実製品	TEM‐EDX・EELS
	ゲート電極成分の拡散	バルク・薄膜	SIMS
ゲート絶縁膜	絶縁膜の寸法	実製品	TEM
	絶縁膜の組成	実製品	TEM‐EDX・EELS
	絶縁膜の不純物濃度分布	バルク・薄膜	SIMS
	絶縁膜の化学結合状態評価	バルク・薄膜	XPS
	絶縁膜の密度評価	バルク・薄膜	XRR
拡散層	ドーパント分布評価	バルク・薄膜	SIMS
	キャリア分布評価	バルク・薄膜	SRA
	拡散層形状評価	実製品	SCM・SMM・SSRM・SEM
	結晶欠陥評価	実製品	TEM
基板	ウエハ表面汚染評価	バルク・薄膜	XPS・TOF‐SIMS・ICP‐MS
	結晶性評価	バルク・薄膜	XRD
	結晶欠陥評価	バルク・薄膜	PL・TEM
	応力評価	バルク・薄膜	Raman・XRD
	応力評価	実製品	TEM・ED
	不純物分布評価	バルク・薄膜	SIMS

パワーデバイスの分析事例はこちらからご覧ください。

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