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分析事例一覧

イメージ	掲載日	タイトル	測定法・加工法	製品分野	分析目的
	2020/05/06	SSDP-SIMSによるゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価(C0028)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	LSI・メモリ	組成評価・同定微量濃度評価組成分布評価
	2016/04/14	SIMSによるSiC中不純物の超高感度測定(C0421)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	パワーデバイス	微量濃度評価
	2013/12/26	IGZO膜へのTi拡散評価(C0329)	［SIMS］二次イオン質量分析法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	酸化物半導体	微量濃度評価
	2013/02/07	GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析(C0293)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工その他	パワーデバイス光デバイス照明	微量濃度評価製品調査
	2013/01/24	SiC基板におけるSSDP-SIMS分析(C0284)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工その他	パワーデバイス	微量濃度評価
	2012/12/06	テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価(C0248)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SEM］走査電子顕微鏡法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工その他	パワーデバイス照明ディスプレイ	微量濃度評価製品調査
	2012/11/29	SSDP-SIMSによるSi基板へのGa,Alの拡散評価(C0267)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	パワーデバイス光デバイス照明	微量濃度評価
	2010/10/28	SSDP-SIMSによるTFT配線交差部の深さ方向分析(C0025)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	ディスプレイ	組成分布評価製品調査
	2010/01/01	SIMSによる有機EL素子中不純物の深さ方向分析(C0030)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	ディスプレイ	組成評価・同定微量濃度評価組成分布評価
	2010/01/01	SIMSによるCIGS太陽電池の各層の相互拡散評価(C0128)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SSDP用加工］基板側からの測定用加工	太陽電池	組成評価・同定微量濃度評価組成分布評価

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SIMS分析データの再現性(B0301)

ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702)

深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析(C0692)

低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481)

SSDP-SIMSによるゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価(C0028)

半導体基板中軽元素の高感度分析(C0117)

SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291)

SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556)

SRAによるIGBTチップのキャリア濃度分布評価(C0443)

界面および深さ方向分解能について(B0243)

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