半導体基板中軽元素の高感度分析(C0117)
SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価可能
概要
他手法では評価が難しい半導体基板中のH, C, N, Oを1ppm（約5E16atoms/cm3）以下まで、Fを1ppb（約5E13atoms/cm3）以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基板など各種材料のバルク分析や半導体プロセス中のガス成分の混入評価などに最適です。
データ
1) 測定条件（測定深さ、測定領域の広さ、周囲の状況など）により変動致します。
2) 分析深さ約1μm以上、分析領域約300μm角以上の場合。
なお、測定条件等により異なるため数値は目安としてご参照下さい。
| MST技術資料No. | C0117 |
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| 掲載日 | 2020/05/06 |
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| 測定法・加工法 | ［SIMS］二次イオン質量分析法
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| 製品分野 | LSI・メモリ
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| 分析目的 | 微量濃度評価
組成分布評価
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