［SEM］走査電子顕微鏡法

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特徴

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。

• EDX検出器による元素分析が可能
• 電子線誘起電流（EBIC）を測定し、半導体の接合位置・形状を評価
• 電子後方散乱回折（EBSD)法により、結晶情報を取得可能
• FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能（Slice & View）
• 冷却観察・雰囲気制御観察

適用例

原理

試料に電子を当て、試料表面から放出される二次電子・反射電子・試料を透過した透過電子（要薄片化）の像を得ることができます。

加速電圧や材料により入射電子の拡がり方が異なり、それに伴い、観察している深さ(電子が出てくる深さ)も変わります。したがって、目的によって最適な加速電圧を選定する必要があります

データ例

二次電子像：片栗粉

• 最表面情報が優れている
• 高い分解能を得ることができる
• 電位コントラストが優れている

反射電子像：W/Cr多層膜

• 組成情報が優れている
• エッジコントラストが小さい
• チャージアップの影響が少ない

透過電子（SEM-STEM）像：有機EL素子

• わずかな密度差や組成差のコントラスト像を得ることができる

クライオ-反射電子像：リキッドファンデーション

• 液体やゲル状サンプルを評価できる

データ形式

仕様

必要情報

1. 目的/測定内容
2. 試料情報
   (1)数量・予備試料の有無など
   (2)形状・組成・破壊可否・コーティングの可否など、層構造・膜厚など（断面観察の場合）
   (3)注意事項
3. 納期
   (1)ご希望の速報納期
   (2)注意事項
4. その他の留意点

注意点

以下の場合、評価に悪い影響を及ぼす恐れがあります。

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