SiC Trench MOSFETのSNDMおよびSMMによる拡散層評価(C0556)

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

MST技術資料No.	C0556
掲載日	2019/03/21
測定法・加工法	［SIMS］二次イオン質量分析法 ［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法 ［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
製品分野	パワーデバイス
分析目的	形状評価 構造評価 劣化調査・信頼性評価 製品調査

概要

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査 型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。　
※参考資料：C0554,C0555

データ

サンプル外観

分析結果

図4 SNDM像（pn極性像）

図5 SMM像(キャリア濃度換算像)

ポイント

• SNDM：高感度な極性判定, SMM：キャリア濃度の半定量が可能です。
  両手法組み合わせる事により拡散層に関する総合的な情報を取得可能です。
• SMMの濃度換算にはSIMSのデータを使用可能です。