SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556)

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

概要

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。 

※SiC Trench MOSFET関連資料:ディスクリートパッケージ評価(C0554)
               トレンチ側壁粗さ評価(C0555)

データ

■サンプル外観

SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価

■分析結果

SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価
SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価

MST技術資料No.C0556
掲載日2020/04/30
測定法・加工法[SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
製品分野パワーデバイス
分析目的形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査

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