SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556)

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

MST技術資料No.	C0556
掲載日	2020/04/30
測定法・加工法	［SIMS］二次イオン質量分析法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
製品分野	パワーデバイス
分析目的	形状評価構造評価劣化調査・信頼性評価製品調査

概要

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。　
※参考資料：C0554,C0555

データ

サンプル外観

分析結果

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