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イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価 2023/11/30 ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702) ［SIMS］二次イオン質量分析法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法
［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
 パワーデバイス
 微量濃度評価
形状評価
構造評価
製品調査
半導体中キャリアの直流電圧依存性評価 2020/10/01 半導体中キャリアの直流電圧依存性評価(C0628) ［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
 LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
照明
酸化物半導体
 形状評価
製品調査
液晶ディスプレイの劣化分析 2020/06/25 液晶ディスプレイの劣化分析(C0601) ［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法
［IC］イオンクロマトグラフ法
［GC/MS］ガスクロマトグラフィー質量分析法
［LC/MS］液体クロマトグラフィー質量分析法
［XPS］X線光電子分光法
［SEM］走査電子顕微鏡法
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
［AFM］原子間力顕微鏡法
［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
計算科学・AI・データ解析
 ディスプレイ
 微量濃度評価
化学結合状態評価
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
SCMおよびSMMによるSiC Planer Power MOSFETの拡散層評価 2020/05/06 SCMおよびSMMによるSiC Planer Power MOSFETの拡散層評価(C0401) ［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法
［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
その他
 パワーデバイス
 組成分布評価
形状評価
SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価 2020/04/30 SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556) ［SIMS］二次イオン質量分析法
［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法
［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
 パワーデバイス
 形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価 2015/12/17 近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価(C0402) ［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法
 光デバイス
 組成分布評価
形状評価
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