SiC Planer Power MOSFETのSCMおよびSMMによる拡散層評価(C0401)

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

MST技術資料No.C0401
掲載日2015/12/17
測定法・加工法[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
その他
製品分野パワーデバイス
分析目的組成分布評価
形状評価

概要

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。
いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。Channel Epitaxial層の端部では、Source層に一部濃度の低下が確認されました。

データ

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