分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価 2017/11/15 PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価(C0494) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
[FIB]集束イオンビーム加工
その他
パワーデバイス
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析 2017/09/14 Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析(C0485) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2017/08/31 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル 2016/07/28 イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル(C0434) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
構造評価
故障解析・不良解析
低温フォトルミネッセンス測定の注意事項 2015/05/14 低温フォトルミネッセンス測定の注意事項(B0208) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
照明
ディスプレイ
構造評価
SiC基板の品質評価 2012/12/13 SiC基板の品質評価(C0280) [SIMS]二次イオン質量分析法
[XRD]X線回折法
[AFM]原子間力顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
パワーデバイス
照明
微量濃度評価
形状評価
構造評価
故障解析・不良解析
SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定 2012/11/22 SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定(C0254) [PL]フォトルミネッセンス法
その他
パワーデバイス
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
白色LEDのフォトルミネッセンス分析 2012/09/13 白色LEDのフォトルミネッセンス分析(C0253) [PL]フォトルミネッセンス法
[IP法]Arイオン研磨加工
その他
光デバイス
照明
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
その他
多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング 2011/05/26 多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング(C0209) [PL]フォトルミネッセンス法
太陽電池
構造評価
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