SiC基板の品質評価(C0280)

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

MST技術資料No.C0280
掲載日2012/12/13
測定法・加工法[SIMS]二次イオン質量分析法
[XRD]X線回折法
[AFM]原子間力顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
製品分野パワーデバイス
照明
分析目的微量濃度評価
形状評価
構造評価
故障解析・不良解析

概要

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。
デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。

データ

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