SiC基板の品質評価(C0280)

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

概要

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。
デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。

データ

MST技術資料No.	C0280
掲載日	2012/12/13
測定法・加工法	［SIMS］二次イオン質量分析法 ［XRD］X線回折法 ［AFM］原子間力顕微鏡法 ［PL］フォトルミネッセンス法
製品分野	パワーデバイス 照明
分析目的	微量濃度評価 形状評価 構造評価 故障解析・不良解析