SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定(C0254)

SiC中積層欠陥の検出事例

MST技術資料No.C0254
掲載日2012/11/22
測定法・加工法[PL]フォトルミネッセンス法
その他
製品分野パワーデバイス
分析目的構造評価
故障解析・不良解析
製品調査

概要

SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス(PL)法があります。
市販品SiC Shottky Barrier Diodeを解体してチップを取り出した後、PLマッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。

データ

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イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
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その他
LSI・メモリ
形状評価
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故障解析・不良解析
製品調査
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[IC]イオンクロマトグラフ法
[HPLC]高速液体クロマトグラフ法
その他
食品
組成評価・同定
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パワーデバイス
電子部品
構造評価
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