SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定(C0254)

SiC中積層欠陥の検出事例

概要

SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス（PL）法があります。
市販品SiC Shottky Barrier Diodeを解体してチップを取り出した後、PLマッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。

データ

この分析事例のPDFファイルを開く SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定

MST技術資料No.	C0254
掲載日	2012/11/22
測定法・加工法	［PL］フォトルミネッセンス法その他
製品分野	パワーデバイス
分析目的	構造評価故障解析・不良解析製品調査

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