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分析事例一覧

イメージ	掲載日	タイトル	測定法・加工法	製品分野	分析目的
	2024/04/04	トレンチ型Si-MOSFETの IDSSリーク箇所の複合解析(C0707)	［SEM］走査電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［EMS］エミッション顕微鏡法	パワーデバイス	故障解析・不良解析
	2023/11/30	ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702)	［SIMS］二次イオン質量分析法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法	パワーデバイス	微量濃度評価形状評価構造評価製品調査
	2020/05/06	SNDMによるSiC Planer Power MOSの高感度評価(C0551)	［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	パワーデバイス	形状評価製品調査
	2020/05/06	SCMによるイメージセンサの拡散層形状評価(C0534)	［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	光デバイス	形状評価製品調査
	2020/05/06	SCMおよびSMMによるSiC Planer Power MOSFETの拡散層評価(C0401)	［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法その他	パワーデバイス	組成分布評価形状評価
	2020/05/06	SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291)	［SIMS］二次イオン質量分析法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	パワーデバイス	微量濃度評価形状評価製品調査
	2020/04/30	SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法	パワーデバイス	形状評価構造評価劣化調査・信頼性評価製品調査
	2012/09/06	SiC Planer Power MOSのSCM分析(C0252)	［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法その他	パワーデバイス	形状評価
	2011/05/26	結晶Si太陽電池の拡散層評価(C0212)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法その他	太陽電池	微量濃度評価形状評価製品調査
	2011/05/26	結晶Si太陽電池のキャリア分布評価(C0214)	［SEM］走査電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法その他	太陽電池	形状評価製品調査
	2010/12/02	バイポーラトランジスタの拡散層構造評価(C0147)	［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	LSI・メモリ	形状評価製品調査
	2010/01/01	パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価(C0154)	［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	パワーデバイス	形状評価製品調査
	2010/01/01	トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価(C0149)	［SEM］走査電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	LSI・メモリ	形状評価製品調査
	2010/01/01	Si系太陽電池のBSF層の評価(C0136)	［SIMS］二次イオン質量分析法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法	太陽電池	微量濃度評価組成分布評価形状評価

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SIMS分析データの再現性(B0301)

ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702)

深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析(C0692)

低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481)

SSDP-SIMSによるゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価(C0028)

半導体基板中軽元素の高感度分析(C0117)

SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291)

SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556)

SRAによるIGBTチップのキャリア濃度分布評価(C0443)

界面および深さ方向分解能について(B0243)

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