分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
SiC Trench MOSFETのSNDMおよびSMMによる拡散層評価 2019/03/21 SiC Trench MOSFETのSNDMおよびSMMによる拡散層評価(C0556) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
SiC Planer Power MOSのSNDM分析 2019/02/14 SiC Planer Power MOSのSNDM分析(C0551) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
製品調査
イメージセンサの拡散層形状評価 2018/10/25 イメージセンサの拡散層形状評価(C0534) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
光デバイス
形状評価
製品調査
SiC Planer Power MOSFETのSCMおよびSMMによる拡散層評価 2015/12/17 SiC Planer Power MOSFETのSCMおよびSMMによる拡散層評価(C0401) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
その他
パワーデバイス
組成分布評価
形状評価
SiCパワーMOSFETの活性層評価 2013/10/10 SiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291) [SIMS]二次イオン質量分析法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
パワーデバイス
微量濃度評価
形状評価
製品調査
SiC Planer Power MOSのSCM分析 2012/09/06 SiC Planer Power MOSのSCM分析(C0252) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
その他
パワーデバイス
形状評価
結晶Si太陽電池の拡散層評価 2011/05/26 結晶Si太陽電池の拡散層評価(C0212) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
その他
太陽電池
微量濃度評価
形状評価
製品調査
結晶Si太陽電池のキャリア分布評価 2011/05/26 結晶Si太陽電池のキャリア分布評価(C0214) [SEM]走査電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
その他
太陽電池
形状評価
製品調査
バイポーラトランジスタの拡散層構造評価 2010/12/02 バイポーラトランジスタの拡散層構造評価(C0147) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
LSI・メモリ
形状評価
製品調査
パワートランジスタ(DMOSFET)の拡散層評価 2010/01/01 パワートランジスタ(DMOSFET)の拡散層評価(C0154) [SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
製品調査
トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価 2010/01/01 トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価(C0149) [SEM]走査電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
LSI・メモリ
形状評価
製品調査
Si系太陽電池のBSF層の評価 2010/01/01 Si系太陽電池のBSF層の評価(C0136) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
太陽電池
微量濃度評価
組成分布評価
形状評価
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