SiC Planer Power MOSのSCM分析(C0252)

SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

MST技術資料No.C0252
掲載日2012/09/06
測定法・加工法[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
その他
製品分野パワーデバイス
分析目的形状評価

概要

SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。
本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。
本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。

データ

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