Si系太陽電池のBSF層の評価(C0136)

断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

MST技術資料No.C0136
掲載日2010/01/01
測定法・加工法[SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
製品分野太陽電池
分析目的微量濃度評価
組成分布評価
形状評価

概要

表面に凹凸のある太陽電池について、凹凸の影響を避けて面内分布評価を行う方法として、断面加工試料をイメージングSIMSにより評価した事例を紹介します。断面SCMによりp+ Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の不均一の度合いを数値化しました。太陽電池以外にもパワーデバイスなどの深い接合評価、トレンチ間・内部の不純物分布評価などに適用できます。

データ

[Ref.] 石川,村田,武田,山田, 第56回応用物理学関係連合講演会(2009年春季1a-P14-17)

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