トレンチ型Si-MOSFETの IDSSリーク箇所の複合解析(C0707)
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
概要
パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。
データ
サンプル外観および電気特性評価
POINT!
ドレイン-ソース間でリーク電流を確認
※チャネル付近での不良モードと想定
分析結果
拡散層の形成不良により、n層が隆起し、p層(≒チャネル長) が短くなっている
POINT!
異常箇所をμm オーダーの位置精度で特定可能
特定箇所にて正確に拡散層,構造解析を実施可能