SNDMによるSiC Planer Power MOSの高感度評価(C0551)
SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）
概要
SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること
ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、
SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。
データ
ポイント
- ワイドギャップ半導体、化合物半導体のpn極性分布評価に適用
- キャリア濃度の低いn- Drift領域でも十分なSN比でpn極性分布を可視化