結晶Si太陽電池の拡散層評価(C0212)

ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価

MST技術資料No.C0212
掲載日2011/05/26
測定法・加工法[SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
その他
製品分野太陽電池
分析目的微量濃度評価
形状評価
製品調査

概要

裏面電極型結晶Si太陽電池(バックコンタクト型Si太陽電池)において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。

データ

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イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
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