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イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析 2024/05/23 SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析(C0711) ［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）
［Slice&View］三次元SEM観察法
［EMS］エミッション顕微鏡法
［FIB］集束イオンビーム加工
 パワーデバイス
 故障解析・不良解析
製品調査
SiCパワートランジスタリーク箇所の Slice&view（3D-SEM）による故障解析 2024/05/23 SiCパワートランジスタリーク箇所の Slice&view（3D-SEM）による故障解析(C0710) ［Slice&View］三次元SEM観察法
［EMS］エミッション顕微鏡法
 パワーデバイス
 故障解析・不良解析
製品調査
トレンチ型Si-MOSFETの IDSSリーク箇所の複合解析 2024/04/04 トレンチ型Si-MOSFETの IDSSリーク箇所の複合解析(C0707) ［SEM］走査電子顕微鏡法
［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法
［EMS］エミッション顕微鏡法
 パワーデバイス
 故障解析・不良解析
GaN系デバイスの発光・発熱解析 2013/09/12 GaN系デバイスの発光・発熱解析(C0309) ［EMS］エミッション顕微鏡法
ロックイン発熱解析法
 光デバイス
 故障解析・不良解析
製品調査
600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察 2010/06/17 600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察(C0183) ［EMS］エミッション顕微鏡法
 パワーデバイス
 故障解析・不良解析
製品調査
照明用発光素子の総合評価 2010/01/01 照明用発光素子の総合評価(C0160) ［SIMS］二次イオン質量分析法
［SEM］走査電子顕微鏡法
［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法
［EMS］エミッション顕微鏡法
 光デバイス
照明
 組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
形状評価
故障解析・不良解析
製品調査
バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査 2010/01/01 バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査(C0153) ［EMS］エミッション顕微鏡法
 パワーデバイス
 故障解析・不良解析
劣化調査・信頼性評価
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