バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査(C0153)

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

MST技術資料No.C0153
掲載日2010/01/01
測定法・加工法[EMS]エミッション顕微鏡法
製品分野パワーデバイス
分析目的故障解析・不良解析
劣化調査・信頼性評価

概要

発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。
2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。

データ

IGBT素子構造:縦形二重拡散構造

素子特性:コレクタ-エミッタ間I-Vカーブ(ゲート-エミッタ間結線)

エミッション顕微鏡によるリーク電流発生箇所の特定

関連する分析事例

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
GaN系デバイスの発光・発熱解析 2013/09/12 GaN系デバイスの発光・発熱解析(C0309) [EMS]エミッション顕微鏡法
ロックイン発熱解析法
光デバイス
故障解析・不良解析
製品調査
600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察 2010/06/17 600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察(C0183) [EMS]エミッション顕微鏡法
パワーデバイス
故障解析・不良解析
製品調査
照明用発光素子の総合評価 2010/01/01 照明用発光素子の総合評価(C0160) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SEM]走査電子顕微鏡法
[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[EMS]エミッション顕微鏡法
光デバイス
照明
組成評価・同定
微量濃度評価
組成分布評価
形状評価
故障解析・不良解析
製品調査
バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査 2010/01/01 バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査(C0153) [EMS]エミッション顕微鏡法
パワーデバイス
故障解析・不良解析
劣化調査・信頼性評価

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

分析お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ

てむぞう&ますみん

てむぞう&ますみん