バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査(C0153)
高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定
概要
発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。
2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。
データ
IGBT素子構造：縦形二重拡散構造
素子特性：コレクタ-エミッタ間I-Vカーブ（ゲート-エミッタ間結線）
エミッション顕微鏡によるリーク電流発生箇所の特定
| MST技術資料No. | C0153 |
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| 掲載日 | 2010/01/01 |
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| 測定法・加工法 | ［EMS］エミッション顕微鏡法
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| 製品分野 | パワーデバイス
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| 分析目的 | 故障解析・不良解析
劣化調査・信頼性評価
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