ロックイン発熱解析法

装置外観

特徴

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します。

  • IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。
  • 赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。
  • ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice & Viewなど断面解析を行うことができます。

適用例

症状

  • 配線間リークやショート不良
  • 静電破壊箇所の特定
  • 発光素子の発熱面内分布測定
  • 酸化膜のマイクロプラズマリーク・絶縁不良
  • 発光素子の発熱面内分布測定

デバイス

  • Siデバイス(トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ)
  • SiCパワーデバイス(ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど)
  • GaN発光素子・GaNデバイス(LD・LED・HEMTなど)
  • MEMS(圧力センサ・加速度センサ)
  • IC、基板などの絶縁劣化部位の特定

原理

デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。

原理

データ例

パワーMOSFET G-S間ショート箇所の特定

パワーMOSFET G-S間ショート箇所の特定

データ形式

  • TIFFファイル(1,027KB): 生データ
    ※必要な場合は別途ご相談ください。
  • JPEGファイル(約600KB): 処理データ
    ※処理データは試料名・印加条件・倍率(スケールバー)などの記載を行います。

仕様

搬入可能試料サイズ 直径150mmφ×高さ50mm
測定視野 12mm×9.6mm、1.2mm×0.96mm
最大印加電圧 600V
ロックイン周波数 0.2~25Hz
倍率 対物レンズ:×0.8,×8
位置精度 5μm~
温度検出能力 20 mK

必要情報

  1. 目的/測定内容
  2. 試料情報
    (1)数量および予備試料の有無など
    (2)印加条件
    (3)耐圧
  3. 納期
    (1)ご希望の速報納期
    (2)その他の留意点
  4. その他の留意点

注意点

以下の材料は測定に悪い影響を及ぼします。

  • 熱伝導率が非常に高い
  • 発熱量が小さいもの

ロックイン発熱解析法の分析事例はこちらからご覧ください。

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