600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察(C0183)

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

概要

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。
本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。

データ

MST技術資料No.	C0183
掲載日	2010/06/17
測定法・加工法	［EMS］エミッション顕微鏡法
製品分野	パワーデバイス
分析目的	故障解析・不良解析 製品調査