SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析(C0711)

Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能

概要

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。

データ

Slice&View SEM Image,SEM image  of the fracture location

SEM-EDX of the fracture location

MST技術資料No.C0711
掲載日2024/05/23
測定法・加工法[SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)
[Slice&View]三次元SEM観察法
[EMS]エミッション顕微鏡法
[FIB]集束イオンビーム加工
製品分野パワーデバイス
分析目的故障解析・不良解析
製品調査

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