SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析(C0711)

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能

概要

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。

データ

$Slice＆View SEM Image,SEM image of the fracture location$

$SEM-EDX of the fracture location$

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MST技術資料No.	C0711
掲載日	2024/05/23
測定法・加工法	［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）［Slice&View］三次元SEM観察法［EMS］エミッション顕微鏡法［FIB］集束イオンビーム加工
製品分野	パワーデバイス
分析目的	故障解析・不良解析製品調査

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