分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
SiC Trench MOSFETのSNDMおよびSMMによる拡散層評価 2019/03/21 SiC Trench MOSFETのSNDMおよびSMMによる拡散層評価(C0556) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
[SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
パワーデバイス
形状評価
構造評価
劣化調査・信頼性評価
製品調査
界面および深さ方向分解能について 2018/07/05 界面および深さ方向分解能について(B0243) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
ディスプレイ
酸化物半導体
微量濃度評価
Dynamic-SIMSによる歯科インプラントの評価 2018/05/31 Dynamic-SIMSによる歯科インプラントの評価(C0519) [SIMS]二次イオン質量分析法
化粧品
その他
微量濃度評価
組成分布評価
製品調査
低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価 2017/08/31 低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481) [SIMS]二次イオン質量分析法
[PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
太陽電池
微量濃度評価
構造評価
故障解析・不良解析
石英・ガラス中の「水」の評価 2017/02/16 石英・ガラス中の「水」の評価(C0460) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
電子部品
ディスプレイ
微量濃度評価
劣化調査・信頼性評価
Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価 2016/12/01 Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価(C0443) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SRA]広がり抵抗測定法
パワーデバイス
電子部品
微量濃度評価
製品調査
SiC中不純物の超高感度測定 2016/04/14 SiC中不純物の超高感度測定(C0421) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
パワーデバイス
微量濃度評価
SiGe中不純物の高精度定量評価 2016/04/07 SiGe中不純物の高精度定量評価(B0226) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
組成評価・同定
微量濃度評価
酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価 2016/04/07 酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価(C0416) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
微量濃度評価
Si中不純物の超高感度測定 2015/03/19 Si中不純物の超高感度測定(C0354) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
太陽電池
微量濃度評価
RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS 2014/08/07 RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS(B0194) [SIMS]二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
微量濃度評価
水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例 2014/03/27 水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例(C0322) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SRA]広がり抵抗測定法
パワーデバイス
微量濃度評価
IGZO膜へのTi拡散評価 2013/12/26 IGZO膜へのTi拡散評価(C0329) [SIMS]二次イオン質量分析法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
酸化物半導体
微量濃度評価
IGZO膜中H濃度評価 2013/12/26 IGZO膜中H濃度評価(C0328) [SIMS]二次イオン質量分析法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
酸化物半導体
微量濃度評価
SiCパワーMOSFETの活性層評価 2013/10/10 SiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291) [SIMS]二次イオン質量分析法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
パワーデバイス
微量濃度評価
形状評価
製品調査
SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2 2013/05/02 SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2(C0298) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
微量濃度評価
製品調査
SIMSによる化合物半導体の組成分析 2013/02/28 SIMSによる化合物半導体の組成分析(C0288) [SIMS]二次イオン質量分析法
光デバイス
照明
組成評価・同定
はんだ合金中の添加物面内分布評価 2013/02/14 はんだ合金中の添加物面内分布評価(C0287) [SIMS]二次イオン質量分析法
[IP法]Arイオン研磨加工
LSI・メモリ
電子部品
微量濃度評価
組成分布評価
SIMSによるGaN系LED構造の組成分析 2013/02/07 SIMSによるGaN系LED構造の組成分析(C0289) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
光デバイス
照明
組成評価・同定
GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析 2013/02/07 GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析(C0293) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
製品調査
SiC基板におけるSSDP-SIMS分析 2013/01/24 SiC基板におけるSSDP-SIMS分析(C0284) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
その他
パワーデバイス
微量濃度評価
化合物積層構造試料のSIMS分析 2012/12/27 化合物積層構造試料のSIMS分析(C0269) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
微量濃度評価
NPT-IGBT中ドーパント調査 2012/12/13 NPT-IGBT中ドーパント調査(C0256) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
微量濃度評価
製品調査
SiC基板の品質評価 2012/12/13 SiC基板の品質評価(C0280) [SIMS]二次イオン質量分析法
[XRD]X線回折法
[AFM]原子間力顕微鏡法
[PL]フォトルミネッセンス法
パワーデバイス
照明
微量濃度評価
形状評価
構造評価
故障解析・不良解析
GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析 2012/12/06 GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析(C0251) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
製品調査
テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価 2012/12/06 テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価(C0248) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SEM]走査電子顕微鏡法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
その他
パワーデバイス
照明
ディスプレイ
微量濃度評価
製品調査
特殊形状試料のSIMS測定 2012/11/29 特殊形状試料のSIMS測定(C0266) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
照明
製造装置・部品
その他
Si基板へのAl,Gaの拡散評価 2012/11/29 Si基板へのAl,Gaの拡散評価(C0267) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
金属ワイヤー中の不純物評価 2012/11/22 金属ワイヤー中の不純物評価(C0265) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SEM]走査電子顕微鏡法
[IP法]Arイオン研磨加工
その他
電子部品
その他
微量濃度評価
製品調査
SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1 2012/10/18 SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1(C0247) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
微量濃度評価

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