SIMSによるSi中不純物の超高感度測定(C0354)
感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します
概要
SIMS分析における検出感度は単位時間あたりの試料のスパッタ量に依存します。元素によりますが、取得する不純物を1元素に限定することで感度が大幅に向上し、5E13 atoms/cm3以下のppt(parts pertrillion)レベルまで評価することが可能となり、IGBTデバイスや高純度ウエハなどの低濃度の不純物評価に有効です。本資料ではSi中の低濃度の不純物について超高感度に評価を行った事例をご紹介します。
データ
図1にSi中のPについて、通常の検出感度と高感度の条件によりSIMS測定を行った結果を示します。
図2に検出感度を大幅に高めてバルクSi中のB,Pの混入の有無について評価を行った結果を示します。
他の元素については表1の検出下限、バックグラウンドレベル例をご参照いただき、表中に記載されていない元素についてはお気軽にご相談ください。
MST技術資料No. | C0354 |
掲載日 | 2015/03/19 |
測定法・加工法 | [SIMS]二次イオン質量分析法
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製品分野 | LSI・メモリ パワーデバイス 太陽電池
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分析目的 | 微量濃度評価
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