[SRA]広がり抵抗測定法

SRA:Spreading Resistance Analysis

装置外観

特徴

SRAは測定試料を斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。SRP(Spreading Resistance Profiling)とも呼ばれます。

  • 導電型(p型/n型)の判定が可能
  • 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能
  • 濃度約2E13~2E20atoms/cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能
  • 約20μm×100μm以上の大きさのパターン試料の測定が可能
  • SRAとSIMSを組み合わせて評価を行う事で活性化率の評価が可能

適用例

  • イオン注入サンプルの熱処理後の活性化率の評価
  • MOSデバイスの拡散層、エピタキシャル層の評価
  • エピタキシャル層のオートドープの評価
  • IGBT,FWDのキャリア濃度分布の評価

原理

斜め研磨した試料面に2探針を接触させ、直下の電気抵抗を測定します。
校正用標準試料の測定値と比較する事で、測定した拡がり抵抗を比抵抗(Ω・cm)に換算します。
さらに、比抵抗とキャリア濃度の関係を示すThurberの曲線を用いてキャリア濃度(atoms/cm3)を算出します。なお、キャリア濃度と比抵抗には以下の関係があります。

原理

データ例

データ例

データ形式

  • PDFファイル, Profile Viewer(.PRW)形式:プロファイル
  • Excelファイル:数値データ

    ※Profile ViewerファイルはMSTにて配布しております「Profile Viewerソフト」にて閲覧・加工が可能となります。

仕様

測定範囲 導電型(p型/n型)の判定を含む深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能
定量可能キャリア濃度 約2E13~2E20atoms/cm3
評価深さ 100nm~1mm未満
測定可能な最小領域の大きさ 約20×100μm
定量可能な材料 SiおよびGe
定量可能な面方位 <100>,<111>

必要情報

  1. 目的/測定内容
  2. 試料情報
    (1)数量、予備試料の有無など
    (2)分析深さ、導電型、形状、層構造、各層の膜厚、面方位、パターンおよび積層膜の有無など
    (3)分析領域の大きさ
    (4)注意事項
    (5)試料到着予定日
  3. 納期
    (1)希望速報納期、希望納品日
    (2)注意事項
  4. その他の留意点

注意点

  • 試料表面の凹凸による深さ方向分解能の低下の可能性があります。
  • チップ状試料およびパターンを形成している試料の場合ご相談ください。
  • 破壊分析となります。
  • 定量可能な材料は、SiおよびGeです。

[SRA]広がり抵抗測定法の分析事例はこちらからご覧ください。

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

ページトップへ

てむぞう&ますみん

てむぞう&ますみん