SIMSによるGaN系LED構造の組成分析(C0289)
GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
概要
一般的にSIMSでは含有量が%を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素)検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。
GaN系LED構造におけるAl,Ga,Inについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。
データ
分析に用いたGaN系LED構造試料の模式図を図1に示します。
表面からn-GaNまでのプロファイルを取得し(図2-1)、標準試料を用いてIII族組成に変換しました。(図2-2)
材料によっては解釈に注意が必要ですが、CIGS, IGZO,AlGaInP,AlGaAs, SiGeなどにおいても深さ方向への組成変化、試料間での大小関係を調べることができます。
MST技術資料No. | C0289 |
掲載日 | 2013/02/07 |
測定法・加工法 | [SIMS]二次イオン質量分析法
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製品分野 | パワーデバイス 光デバイス 照明
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分析目的 | 組成評価・同定
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