酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価(C0416)

不純物元素の定量評価が可能です

MST技術資料No.C0416
掲載日2016/04/07
測定法・加工法[SIMS]二次イオン質量分析法
製品分野パワーデバイス
分析目的微量濃度評価

概要

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の不純物濃度分析を行った事例をご紹介します。
B,Cはバックグラウンドレベル以下、Siは存在していることがわかります。
MSTでは、Ga2O3標準試料を取り揃えており、30種類以上の不純物の定量が可能です。

データ

分析結果

参考:MSTのSIMS分析で定量が可能な元素

※SIMS分析では、感度・他元素との兼ね合い等を勘案し適切な一次イオンを選択します。

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