化合物積層構造試料のSIMS分析(C0269)

積層構造試料中の着目層の高深さ方向分解能評価

MST技術資料No.C0269
掲載日2012/12/27
測定法・加工法[SIMS]二次イオン質量分析法
その他
製品分野パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
分析目的微量濃度評価

概要

III-V族化合物半導体デバイスなどで、薄い着目層の上に厚い層が存在する構造の場合、最表面からのSIMS分析では、着目層における分解能の劣化が問題となります。このような系では、厚い上部層を除去することで、着目層を詳細に評価することが可能になります。
InP/InGaAs系SHBT(Single Heterojunction Bipolar Transistor)試料を用いて、段階的に上部層の除去を行った例を示します。

データ

InP/InGaAs系SHBT構造試料(図1)について
(1)最表面から
(2)表面から1層目(InGaAs)を除去後
(3)表面から2層目(InP)を除去後
にてSIMS分析を行った結果を図2に示します。
このように、InP/InGaAs系化合物積層構造試料において、加工により各層を段階的に除去することで、着目層を詳細に評価することが可能です。

LEDの活性層の評価など、薄い着目層の上に厚い層が成膜されている場合に特に有効です。
厚い層を除去してから分析することで、着目層での分解能が向上します。

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