IGZO膜中H濃度評価(C0328)

IGZO膜中Hについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

概要

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料などに利用される酸化物半導体です。IGZO膜中のH濃度に応じてキャリア濃度が変化して電気特性が変動するため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中のH濃度を精度良く測定する必要があります。
SIMSを用いて加熱条件の異なるIGZO膜中のH濃度を評価した事例をご紹介します。

データ

サンプル概要

IGZOをスパッタで成膜後、3種類の条件で熱処理を行いました。(500℃、700℃、900℃)

データ

SIMS分析結果より、熱処理温度が上がるにつれ、膜中のH濃度が減少している様子が見られました。
MSTでは標準試料を用意し、測定条件を最適化することでH濃度を高精度に測定することが可能です。

MST技術資料No.C0328
掲載日2013/12/26
測定法・加工法[SIMS]二次イオン質量分析法
[(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
製品分野酸化物半導体
分析目的微量濃度評価

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