SIMSによるNPT-IGBT中ドーパント調査(C0256)

イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

概要

NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた¹¹B,Asのイオンイメージを示します。¹¹BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。
また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが、イメージングSIMS測定においては、部分的にデプスプロファイルを抽出することができるため、面内に局在するドーパントの濃度分布を評価することができます（図2）。

データ

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MST技術資料No.	C0256
掲載日	2012/12/13
測定法・加工法	［SIMS］二次イオン質量分析法その他
製品分野	パワーデバイス
分析目的	微量濃度評価製品調査

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