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分析事例

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分析事例一覧

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
表面酸化膜のある異物の状態評価 2016/04/14 表面酸化膜のある異物の状態評価(C0420) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
製造装置・部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
ABF-STEM観察によるGaNの極性評価 2016/02/18 ABF-STEM観察によるGaNの極性評価(C0409) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
パワーデバイス
光デバイス
形状評価
膜厚評価
構造評価
近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価 2015/12/17 近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価(C0402) [SMM]走査型マイクロ波顕微鏡法
光デバイス
組成分布評価
形状評価
エッチングによる有機付着物除去 2015/05/28 エッチングによる有機付着物除去(C0383) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
製造装置・部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価 2015/05/21 XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価(C0381) [XPS]X線光電子分光法
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
低温フォトルミネッセンス測定の注意事項 2015/05/14 低温フォトルミネッセンス測定の注意事項(B0208) [PL]フォトルミネッセンス法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
太陽電池
照明
ディスプレイ
構造評価
GaN系デバイスの発光・発熱解析 2013/09/12 GaN系デバイスの発光・発熱解析(C0309) [EMS]エミッション顕微鏡法
ロックイン発熱解析法
光デバイス
故障解析・不良解析
製品調査
SIMSによる化合物半導体の組成分析 2013/02/28 SIMSによる化合物半導体の組成分析(C0288) [SIMS]二次イオン質量分析法
光デバイス
照明
組成評価・同定
SIMSによるGaN系LED構造の組成分析 2013/02/07 SIMSによるGaN系LED構造の組成分析(C0289) [SIMS]二次イオン質量分析法
パワーデバイス
光デバイス
照明
組成評価・同定
GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析 2013/02/07 GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析(C0293) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
製品調査
化合物積層構造試料のSIMS分析 2012/12/27 化合物積層構造試料のSIMS分析(C0269) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
ディスプレイ
微量濃度評価
GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析 2012/12/06 GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析(C0251) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
製品調査
Si基板へのAl,Gaの拡散評価 2012/11/29 Si基板へのAl,Gaの拡散評価(C0267) [SIMS]二次イオン質量分析法
[SSDP用加工]基板側からの測定用加工
パワーデバイス
光デバイス
照明
微量濃度評価
Si自然酸化膜の膜厚評価 2012/11/22 Si自然酸化膜の膜厚評価(C0279) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
製造装置・部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
膜厚評価
白色LEDのフォトルミネッセンス分析 2012/09/13 白色LEDのフォトルミネッセンス分析(C0253) [PL]フォトルミネッセンス法
[IP法]Arイオン研磨加工
その他
光デバイス
照明
構造評価
故障解析・不良解析
製品調査
その他
成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価 2012/06/28 成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価(C0230) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
組成評価・同定
組成分布評価
その他
ポリイミド成分の深さ方向分析 2012/06/07 ポリイミド成分の深さ方向分析(C0242) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
照明
ディスプレイ
日用品
化学結合状態評価
組成分布評価
劣化調査・信頼性評価
UVセンサ AlGaN中不純物濃度の高精度評価 2012/04/26 UVセンサ AlGaN中不純物濃度の高精度評価(C0232) [SIMS]二次イオン質量分析法
その他
光デバイス
照明
微量濃度評価
組成分布評価
製品調査
XRD分析による有機TFT薄膜の評価 2011/12/01 XRD分析による有機TFT薄膜の評価(C0224) [XRD]X線回折法
光デバイス
ディスプレイ
構造評価
熱履歴を考慮した異物の成分同定 2011/08/18 熱履歴を考慮した異物の成分同定(C0200) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
[FT-IR]フーリエ変換赤外分光法
[DSC]示差走査熱量測定
その他
LSI・メモリ
光デバイス
製造装置・部品
化学結合状態評価
化合物へテロ接合界面歪の可視化 2010/10/28 化合物へテロ接合界面歪の可視化(C0010) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
光デバイス
照明
構造評価
応力・歪み評価
収束電子線回折法 2010/01/01 収束電子線回折法(B0024) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[ED]電子回折法
光デバイス
構造評価
樹脂の硬化度測定 2010/01/01 樹脂の硬化度測定(C0001) [Raman]ラマン分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
照明
ディスプレイ
製造装置・部品
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
極薄SiON膜の組成・膜厚評価 2010/01/01 極薄SiON膜の組成・膜厚評価(C0002) [XPS]X線光電子分光法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
組成分布評価
膜厚評価
エッチング残渣の発生原因調査 2010/01/01 エッチング残渣の発生原因調査(C0019) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
組成評価・同定
化学結合状態評価
ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価 2010/01/01 ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価(C0045) [SIMS]二次イオン質量分析法
光デバイス
太陽電池
微量濃度評価
組成分布評価
FIB低加速加工 2010/01/01 FIB低加速加工(B0111) [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法
[TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法
[FIB]集束イオンビーム加工
LSI・メモリ
光デバイス
電子部品
形状評価
構造評価
その他
Siウエハの有機物汚染評価 2010/01/01 Siウエハの有機物汚染評価(C0007) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
Cu表面の有機物汚染評価 2010/01/01 Cu表面の有機物汚染評価(C0008) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
酸化物半導体
組成評価・同定
化学結合状態評価
Siウエハ ベベル部の汚染評価 2010/01/01 Siウエハ ベベル部の汚染評価(C0077) [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
組成評価・同定
組成分布評価

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